PN结的特性包括： 单向导电性：当PN结上施加正向电压（即P端接电源正极，N端接电源负极），内建电场被削弱，外部电场促使多数载流子（N型半导体中的电子和P型半导体中的空穴）更容易越过结 …

制造二极管时，通常不会用两块相同大小的P型半导体和N型半导体结合形成PN结，而是通常用其中一种半导体作基底，例如一块N型半导体，在其中一端渗透一点三价元素，得到很小一块P型半导体区 …

当PN结形成的时候，P型半导体和N型半导体直接接触。之前曾经讲过热平衡时同一块半导体材料会具有统一的费米能级，所以当PN结形成时，半导体的能带会发生弯曲，使得P型和N型半导体的费米能级 …

由于正向偏压基本上落在载流子很少，电阻很大的势垒区， 此时扩散流大于漂移流，当正向偏压一定时，在pp'处就有一不变的向p区内部流动的电子扩散流，而在边界nn'处也有一不变的向n区内部流动的 …

设计高反向耐压PN结二极管的一个重要问题是，掺杂水平在1019cm-3以下的N型区将与金属产生很大的接触电阻，这对于工作在大电流密度下的功率半导体器件来说是不能被接受的。 因此，N型区为低掺 …

Jul 3, 2023 · 而空间电荷区内会形成一个 内建电场，其方向是由N区（带正电）指向P区（带负电）。 我们可以看到由于P区和N区之间“自由电子”和“空穴”的相互扩散，导致在空间电荷区（PN结）上是有 …

Jan 6, 2021 · PN结：P型掺杂区和N型掺杂区接触形成，两者之间存在一个动态平衡。 P区：多子为空穴，少子为自由电子。 N区：多子为自由电子，少子为空穴。 由于存在浓度梯度，多子会向少子方向 …

Jan 26, 2016 · 首先假设 空间电荷区 载流子全部复合，N区带正电，P区带负电，电场方向从N到P。 载流子浓度上，空间电荷区没有载流子，空间电荷区外N区电子浓度高，P区空穴浓度高。 热平衡的时候 …

A：PN结往往不是等量掺杂，如果硼掺得多一些磷掺得少一些，就会导致N型中靠近P型的部分存在空穴 知乎用户 名古屋大学 工学博士 你先知道下面这两个前提，应该会对你的理解有帮助 1.即使不掺杂的 …

PN结正向和反向偏置时载流子是如何运动的？ 非半导体专业，目前自学半导体，知道二极管是正向导通反向截止原理，学习三极管时了解到发射结正向偏置时多数载流子可以通过，集电结反向偏置时少数 …